L6389ED
制造厂商:ST(中文名:意法半导体)
类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
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参数详情:
制造商产品型号:L6389ED制造商:STMicroelectronics,(意法半导体,简称ST)描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器包装:管件系列:-零件状态:有源驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET电压-供电:17V(最大)逻辑电压?-VIL,VIH:1.1V,1.8V电流-峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA输入类型:反相高压侧电压-最大值(自举):600V上升/下降时间(典型值):70ns,40ns工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)安装类型:表面贴装型产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)L6389ED的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。