L6491DTR
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
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参数详情：
制造商产品型号：L6491DTR制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：独立式驱动器数：-栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压-供电：10V ~ 20V逻辑电压?-VIL，VIH：1.45V，2V电流-峰值输出（灌入，拉出）：4A，4A输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：600V上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）L6491DTR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
