SCTW90N65G2V
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：HiP247?
技术参数：SICFET N-CH 650V 90A HIP247
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参数详情：
制造商产品型号：SCTW90N65G2V制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：SICFET N-CH 650V 90A HIP247系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 50A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：157nC @ 18VVgs（最大值）：+22V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：390W（Tc）工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：HiP247?SCTW90N65G2V的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
