STB12NM60N
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：STB12NM60N制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? II零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：410 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30.5nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：90W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAKSTB12NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
