STGB19NC60HDT4
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 40A 130W D2PAK
（专注销售ST电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：STGB19NC60HDT4制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 600V 40A 130W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：60A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，12A功率-最大值：130W开关能量：85μJ（开），189μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：53nC25°C时Td（开/关）值：25ns/97ns测试条件：390V，12A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：31ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB19NC60HDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
