STGB20NB37LZ
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 425V 40A 200W D2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：STGB20NB37LZ制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 425V 40A 200W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：425V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A功率-最大值：200W开关能量：11.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：51nC25°C时Td（开/关）值：2.3μs/2μs测试条件：250V，20A，1 千欧，4.5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB20NB37LZ的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
