STGB35N35LZ-1
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
技术参数：IGBT 345V 40A 176W I2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：STGB35N35LZ-1制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 345V 40A 176W I2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：345V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，15A功率-最大值：176W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：49nC25°C时Td（开/关）值：1.1μs/26.5μs测试条件：300V，15A，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AASTGB35N35LZ-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
