STGB3NB60SDT4
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 6A 70W D2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：STGB3NB60SDT4制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 600V 6A 70W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：6A电流-集电极脉冲(Icm)：25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A功率-最大值：70W开关能量：1.15mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：18nC25°C时Td（开/关）值：125ns/3.4μs测试条件：480V，3A，1 千欧，15V反向恢复时间(trr)：1.7μs工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB3NB60SDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
