STGD7NB120S-1
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
技术参数：IGBT 1200V 10A 55W IPAK
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参数详情：
制造商产品型号：STGD7NB120S-1制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 1200V 10A 55W IPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A功率-最大值：55W开关能量：15mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：29nC25°C时Td（开/关）值：570ns/-测试条件：960V，7A，1 千欧，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AASTGD7NB120S-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
