STGD7NB60ST4
制造厂商:ST(中文名:意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
技术参数:IGBT 600V 15A 55W DPAK
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参数详情:
制造商产品型号:STGD7NB60ST4制造商:STMicroelectronics,(意法半导体,简称ST)描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH?零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):15A电流-集电极脉冲(Icm):60A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,7A功率-最大值:55W开关能量:3.5mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:33nC25°C时Td(开/关)值:700ns/-测试条件:480V,7A,1 千欧,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63STGD7NB60ST4的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。