STGF10NC60SD
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
技术参数：IGBT 600V 10A 25W TP220FP
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参数详情：
制造商产品型号：STGF10NC60SD制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 600V 10A 25W TP220FP系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，5A功率-最大值：25W开关能量：60μJ（开），340μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：18nC25°C时Td（开/关）值：19ns/160ns测试条件：390V，5A，10欧姆，15V反向恢复时间(trr)：22ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包STGF10NC60SD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
