STGP10NB60S
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 600V 29A 80W TO220
（专注销售ST电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：STGP10NB60S制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 600V 29A 80W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：29A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，10A功率-最大值：80W开关能量：600μJ（开），5mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：33nC25°C时Td（开/关）值：700ns/1.2μs测试条件：480V，10A，1 千欧，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3STGP10NB60S的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
