STGP3NB60KD
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 600V 10A 50W TO220
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参数详情：
制造商产品型号：STGP3NB60KD制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 600V 10A 50W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：50W开关能量：30μJ（开），58μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：14nC25°C时Td（开/关）值：14ns/33ns测试条件：480V，3A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：45ns工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3STGP3NB60KD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
