STGW25M120DF3
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 50A 375W
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参数详情：
制造商产品型号：STGW25M120DF3制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT 1200V 50A 375W系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A电流-集电极脉冲(Icm)：100A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，25A功率-最大值：375W开关能量：850μJ（开），1.3mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：85nC25°C时Td（开/关）值：28ns/150ns测试条件：600V，25A，15欧姆，15V反向恢复时间(trr)：265ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3STGW25M120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
