STGWA15H120DF2
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
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参数详情：
制造商产品型号：STGWA15H120DF2制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：30A电流-集电极脉冲(Icm)：60A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，15A功率-最大值：259W开关能量：380μJ（开），370μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：67nC25°C时Td（开/关）值：23ns/111ns测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：231ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3STGWA15H120DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
