STL36DN6F7
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT
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参数详情：
制造商产品型号：STL36DN6F7制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：STripFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：420pF @ 30V功率-最大值：58W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFNSTL36DN6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
