STN2NE10L
制造厂商:ST(中文名:意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SOT-223
技术参数:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
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参数详情:
制造商产品型号:STN2NE10L制造商:STMicroelectronics,(意法半导体,简称ST)描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:STripFET?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):1.8A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 5VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):345pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SOT-223STN2NE10L的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。