STP11NM65N
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：单端场效应管，TO-220
技术参数：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
（专注销售ST电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：STP11NM65N制造厂家名称：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220系列：MDmesh IIFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 50V功率 - 最大值：110W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220STP11NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
