STQ1HNK60R-AP
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-92-3
技术参数：MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
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参数详情：
制造商产品型号：STQ1HNK60R-AP制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SuperMESH?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：400mA（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 欧姆 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：156pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-92-3STQ1HNK60R-AP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
