STS8C5H30L
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：STS8C5H30L制造商：STMicroelectronics，（意法半导体，简称ST）描述：MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：STripFET? III零件状态：不適用於新設計FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A，5.4A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：857pF @ 25V功率-最大值：2W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）STS8C5H30L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
